इनप वेफर

हम शिनजियांग, हेनान, चीन में इनप वेफर के लोकप्रिय निर्यातक और निर्माता हैं। iNP अपनी अच्छी तापीय चालकता, उच्च विकिरण प्रतिरोध और उच्च इलेक्ट्रॉन संतृप्ति गतिशीलता के कारण इलेक्ट्रॉनिक और फोटोनिक दोनों उपकरणों के लिए एक महत्वपूर्ण अर्धचालक है। Si-InP सिंगल क्रिस्टल का अब व्यापक रूप से उच्च आवृत्ति, उच्च गति, उच्च शक्ति वाले माइक्रोवेव उपकरणों और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक एकीकृत सर्किट के निर्माण के लिए उपयोग किया जाता है जो वायरलेस तकनीक, मार्गदर्शन/नेविगेशन सिस्टम, उपग्रह संचार और हाई-स्पीड कंप्यूटर के लिए अपरिहार्य हैं। मुख्य पैरामीटर्स: व्यास: 2 “, 3", 4” ओरिएंटेशन: (100)/(111) ए 0.5 ए डोपेंट और टाइप: Fe-सेमी-इंसुलेटिंग प्रतिरोधकता (आईसीए सीसीएम) Y1A 170 गतिशीलता (CM2V-1s-1) और Y2000 ईपीडी (सीएम-2) एक 10000 फ्लैटनेस (आई एम) टीटीवी ए 12 बो अ १२ वार्प अ १५ मोटाई (1 मीटर) 2 350 ए 25 3 625A 25 4 1000A 25 प्राथमिक फ्लैट की लंबाई (मिमी) 2 16A 2 3 22A 2 4 32.5 ए 2.5 द्वितीयक फ्लैट की लंबाई (मिमी) 2 8A 1 3 11 ए 1 4 18 ए 1 अनुप्रयोग: ठोस की चमक माइक्रोवेव कम्यूनिकेशन फाइबर-ऑप्टिक संचार नेविगेशन